SK하이닉스는 29일 2025년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “D램 수요 성장률은 올해 10% 후반에서 내년 20% 이상으로 확대되고, 낸드는 올해 10% 중반에서 내년 10% 후반으로 개선될 것으로 예상하고 있다”며 “4분기에도 D램과 낸드 모두 전분기 대비 한 자릿수 초반의 출하량 증가를 계획하고 있다”고 설명했다.

그러면서 SK하이닉스는 당사 최선단 10나노급 6세대(1c) 공정은 이미 안정적으로 양산 중이며, 내년에는 1c 나노미터에 대한 전환을 가속화해 원가와 제품 경쟁력 우위를 지속 유지할 계획“이라며 ‘회사의 생산능력을 고려할 때 고대역폭메모리(HBM)뿐만 아니라 D램과 낸드 플래시 메모리까지 사실상 완판됐다고 볼 수 있다” 덧붙였다.